Information
產品介紹
在傳統的直向迴圈結構中,由於線圈的內部電極之間及內部電極與晶片外部電極之間存在著雜散電容,故在幾百MHz以上的高頻區阻抗值較低。改良後內部結構改成橫向迴圈結構時,雜散電容減少,在1GHz附近的阻抗值可以達到直向型的3倍。
Feature
產品特色
- BCAS系列晶片於頻率低於100MHz時,其特性與EBMS系列類似,然而在1GHz時,阻抗值比EBMS系列高3倍
- 適用於高速訊號線,可於相當寬的頻率範圍提供高阻抗
- 其磁性遮蔽結構使串音降到最小
在傳統的直向迴圈結構中,由於線圈的內部電極之間及內部電極與晶片外部電極之間存在著雜散電容,故在幾百MHz以上的高頻區阻抗值較低。改良後內部結構改成橫向迴圈結構時,雜散電容減少,在1GHz附近的阻抗值可以達到直向型的3倍。
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